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hm2.0 Lamiera di protezione inferiore, modello D Articolo n. 246-11600-1
Immagine simile
Ad angolo retto
Tecnologia a pressione
- 22 contatti
- Lunghezza del cavo: 3,4 mm
- per circuiti stampati con spessore minimo di 1,44 mm
- testato secondo la norma IEC 61076-4-101
Disegni
Ulteriori informazioni
Tempi di consegna
Dati tecnici
Nozioni di base
| Specifiche | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Livello di qualità | 2 |
| Numero di contatti | 22 |
| Tecnologia di connessione | Tecnologia a pressione |
| Lunghezza del collegamento | 3,4 mm |
| Temperatura di esercizio | da -55 °C a +125 °C |
Materiale
| Materiale di contatto | Bronzo |
|---|
Meccanico
| Dimensione della griglia | 2,0 mm |
|---|---|
| Forza di inserimento per contatto | Schermatura: max. 1 N |
| Forza di trazione per contatto | Schermatura: min. 0,15 N |
| Vita utile | > 250 cicli di inserimento |
Elettrico
| Corrente di esercizio | 1,5 A a +20 °C, 1,0 A a +70 °C |
|---|---|
| Resistenza di contatto | max. 20 mΩ |
| Resistenza all'isolamento | min. 104 MΩ |
| Tensione di prova | 750 V r.m.s. |
| Trasmissione dati | 3,125 Gbit/s |
Approvazioni / Conformità
| Ambiente | Conforme alla direttiva RoHS |
|---|
Specifiche del foro
| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Struttura a strati secondo IEC 60352-5
Elaborazione
Zange
Einpresswerkzeug für hm2.0 unteres Schirmblech 8reihig
Artikelnummer 884-740-W3
Imballaggio
Vassoio
24 pezzi / vassoio
25 vassoi / scatola